| GaN基发光二极管的可靠性研究进展 |
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| 引用本文： | 艾伟伟,郭霞,刘斌,宋颖娉,刘莹,沈光地.GaN基发光二极管的可靠性研究进展[J].半导体技术,2006,31(3):161-165. |
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| 作者姓名： | 艾伟伟 郭霞 刘斌 宋颖娉 刘莹 沈光地 |
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| 作者单位： | 北京工业大学光电子技术实验室,北京,100022 |
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| 基金项目： | 国家科技攻关项目
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北京市教委科技发展计划项目 |
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| 摘 要： | 高效高亮度GaN基发光二极管(LED)在图像显示、信号指示、照明以及基础研究等方面有着极为广阔的应用前景,器件的可靠性是实现其广泛应用的保证.本文从封装材料退化、金属的电迁移、p型欧姆接触退化、深能级与非辐射复合中心增加等方面介绍了GaN基LED的退化机理以及提高器件可靠性的措施,并对GaN基LED的应用前景进行了展望.
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| 关 键 词： | 氮化镓 发光二极管 退化机理 可靠性 发光二极管 研究进展 Reliability Progress 器件可靠性 退化机理 非辐射复合中心 深能级 欧姆接触 电迁移 金属 封装材料 器件的可靠性 前景 应用 照明 信号指示 图像显示 高亮度 |
| 文章编号： | 1003-353(2006)03-0161-05 |
| 收稿时间： | 2005-07-05 |
| 修稿时间： | 2005年7月5日 |
Research and Progress in Reliability of GaN-Based LED |
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| AI Wei-wei,GUO Xia,LIU Bin,SONG Ying-ping,LIU Ying,SHEN Guang-di.Research and Progress in Reliability of GaN-Based LED[J].Semiconductor Technology,2006,31(3):161-165. |
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| Authors: | AI Wei-wei GUO Xia LIU Bin SONG Ying-ping LIU Ying SHEN Guang-di |
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| Affiliation: | Beijing Optoelectronie Technology Laboratory ,Beijing University of Technology, Beijing 100022,China |
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| Abstract: | High-brightness, high-efficiency GaN-based LEDs are of extreme promise in image display, signal indication, lighting and basic research, while reliability ensures the broad applications. This work presents the degradation mechanisms of GaN-based LED including degradation of the encapsulating material, electromigration of contact metal, p-W contact degradation, creation of deep levels and non-radiative recombination centers, and the measures improving reliability of the device. The foreground of GaN-based LEDs is overviewed. |
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| Keywords: | GaN LED degradation mechanism reliability |
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