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| GaN E-D HEMT集成逻辑门电路特性研究 | |
| 作者单位： | ;1.南京电子器件研究所;2.微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 |
| 摘 要： | 基于金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长的高质量AlGaN/GaN异质结构材料,采用选择性栅挖槽结合栅介质工艺实现GaN增强型/耗尽型(E/D)HEMT器件的集成,应用直接耦合场效应管逻辑(DCFL)设计并研制GaN E/D HEMT集成逻辑门电路。通过对GaN E/D器件性能以及逻辑门电路性能的分析讨论,研究了GaN E/D器件性能对逻辑门电路性能的影响。同时还对选择性栅挖槽结合栅介质工艺实现GaN E/D器件存在的问题进行了分析讨论。 |
| 关 键 词： | 铝镓氮/氮化镓 氮化镓增强型/耗尽型高电子迁移率晶体管 直接耦合场效应管逻辑 逻辑门结构 阈值电压漂移 |
Characteristics of Monolithic Integrated Enhancement/ Depletion-mode AlGaN/GaN HEMTs Logic Gates |
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