| 利用X射线衍射研究Mg掺杂的InN的快速退火特性 |
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| 引用本文： | 王健,谢自力,张韵,滕龙,李烨操,曹先雷,丁煜,刘斌,修向前,陈鹏,韩平,施毅,张荣,郑有炓. 利用X射线衍射研究Mg掺杂的InN的快速退火特性[J]. 中国激光, 2013, 0(1): 176-179 |
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| 作者姓名： | 王健 谢自力 张韵 滕龙 李烨操 曹先雷 丁煜 刘斌 修向前 陈鹏 韩平 施毅 张荣 郑有炓 |
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| 作者单位： | 南京大学电子科学与工程学院江苏省光电信息功能材料重点实验室 |
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| 基金项目： | 国家973计划(2011CB301900,2012CB619304);国家863计划(2011AA03A103);国家自然科学基金(60990311,60820106003,60906025,60936004,61176063);江苏省自然科学基金(BK2008019,BK2011010,BK2010385,BK2009255,BK2010178)资助课题 |
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| 摘 要： | 研究了不同的快速退火(RTA)温度对Mg掺杂的InN材料的影响。根据马赛克微晶模型,利用X射线衍射(XRD)技术,对样品的对称面和非对称面做ω扫描,并且通过倒异空间图(RSM)扫描,拟合得到了刃位错与螺位错密度,并且根据在不同快速退火温度条件下位错密度的比较,同时结合迁移率的测量结果,发现快速退火温度采用400℃能有效地提高晶体的质量。原因在于快速退火能有效地激活Mg原子活性,降低材料中的载流子浓度,同时快速退火采用的氮气气氛能补偿部分起施主作用的氮空位,降低材料中载流子浓度的同时也降低了缺陷。同时,(002)面的摇摆曲线半峰全宽(FWHM)也很好地验证了所得结果。
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| 关 键 词： | 薄膜 快速退火 X射线衍射 氮化铟 掺杂 位错 |
Rapid Thermal Annealing Characteristics of Mg-Doped InN by X-Ray Diffraction |
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| Wang Jian Xie Zili Zhang Yun Teng Long Li Yecao Cao Xianlei Ding Yu Liu Bin Xiu Xiangqian Chen Peng Han Ping Shi Yi Zhang Rong Zheng You. Rapid Thermal Annealing Characteristics of Mg-Doped InN by X-Ray Diffraction[J]. Chinese Journal of Lasers, 2013, 0(1): 176-179 |
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| Authors: | Wang Jian Xie Zili Zhang Yun Teng Long Li Yecao Cao Xianlei Ding Yu Liu Bin Xiu Xiangqian Chen Peng Han Ping Shi Yi Zhang Rong Zheng You |
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| Affiliation: | Wang Jian Xie Zili Zhang Yun Teng Long Li Yecao Cao Xianlei Ding Yu Liu Bin Xiu Xiangqian Chen Peng Han Ping Shi Yi Zhang Rong Zheng Youliao(Jiangsu Provincial Key Laboratory of Photonic and Electronic Materials Science and Technology, School of Electronic Science and Engineering,Nanjing University,Nanjing,Jiangsu 210093,China) |
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