| 一种新型磁场MWECR-CVD和氢化非晶硅薄膜制备 |
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| 引用本文： | 殷生毅,陈光华,吴越颖,王青,刘毅,张文理,宋雪梅,邓金祥.一种新型磁场MWECR-CVD和氢化非晶硅薄膜制备[J].半导体学报,2004,25(5):530-534. |
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| 作者姓名： | 殷生毅 陈光华 吴越颖 王青 刘毅 张文理 宋雪梅 邓金祥 |
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| 作者单位： | 北京工业大学材料科学与工程学院,北京,100022;北京工业大学材料科学与工程学院,北京,100022;北京工业大学材料科学与工程学院,北京,100022;北京工业大学材料科学与工程学院,北京,100022;北京工业大学材料科学与工程学院,北京,100022;北京工业大学材料科学与工程学院,北京,100022;北京工业大学材料科学与工程学院,北京,100022;北京工业大学材料科学与工程学院,北京,100022 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划) |
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| 摘 要： | 为了简化多电磁线圈 MWECR- CVD装置 ,提出将单个电磁线圈和一个永磁体单元组合 ,以形成所需的新型磁场 .这一磁场可使等离子体集聚于样片台上方 ,显著提高了等离子体的能量密度 .应用这种新型磁场的 MWE-CR- CVD装置沉积氢化非晶硅薄膜 ,与采用单电磁线圈或双电磁线圈时相比 ,薄膜沉积速度大幅度提高 ,沉积速度达到采用传统 RF- PECVD装置时的数倍至十倍
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| 关 键 词： | ECR-CVD 永磁体 磁场 氢化非晶硅 |
| 文章编号： | 0253-4177(2004)05-0530-05 |
| 修稿时间： | 2003年5月6日 |
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