| CdZnTe晶体欧姆接触电极的制备工艺研究 |
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| 引用本文： | 陈继权,孙金池,李阳平,刘正堂.CdZnTe晶体欧姆接触电极的制备工艺研究[J].功能材料,2004,35(Z1):1215-1218. |
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| 作者姓名： | 陈继权 孙金池 李阳平 刘正堂 |
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| 作者单位： | 陈继权（西北工业大学,材料学院,陕西,西安,710072）;孙金池（西北工业大学,材料学院,陕西,西安,710072）;李阳平（西北工业大学,材料学院,陕西,西安,710072）;刘正堂（西北工业大学,材料学院,陕西,西安,710072） |
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| 基金项目： | 国防基础研究资助项目(J1500E002) |
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| 摘 要： | 高阻CdZnTe晶体是X射线及γ射线探测最优秀的材料.制备CdZnTe探测器最关键的技术之一就是在CdZnTe表面制备出欧姆接触薄膜电极.关于在CdZnTe晶体表面制备接触电极用导电薄膜,大都是采用蒸发镀膜技术,膜层与CdZnTe晶体结合不很牢固.本论文主要开展了在CdZnTe晶体上欧姆接触电极的选材和制备工艺的研究.理论分析了金属与CdZnTe半导体的接触关系,根据影响因素选择Cu/Ag合金作为电极薄膜材料.利用射频磁控溅射法成功地在CdZnTe晶体上制备出Cu/Ag膜.研究发现Cu/Ag合金膜的电阻率随溅射功率的增大而增大、衬底温度的升高而降低.从理论上对这一规律进行了解释.
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| 关 键 词： | 碲锌镉 欧姆接触 薄膜 磁控溅射 |
| 文章编号： | 1001-9731(2004)增刊-1215-04 |
| 修稿时间： | 2003年12月30 |
Study of processing of ohmic contact electrode prepared on CdZnTe crystal |
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