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| 元器件与组件 | |
| 摘 要： | 4G AG-AND型闪存4Gb的AG-AND型闪存R1FV04G13R和R1FV04G14R可提供10MBps编程速度,分别具有8位和16位配置,90nm工艺和改进的存储器单元设计使芯片面积大约缩小了三分之二,可以在单个芯片上配置512MB的记录介质。Renesas Technologyhttp://www.renesas.com低压场效应MOS晶体管基于STripFET技术的低压N沟道场效应MOS晶体管适用于超高开关频率的应用,电压为24V和30V,额定电流为8A、12A、27A、50A和80A,10V时的典型通态电阻为0.008Ω、0.01Ω、0.0039Ω、0.012Ω和0.011Ω。STMicroelectronicshttp://www.st.com扁平引线封… |
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