| Si基Ge波导共振腔增强型光电探测器的制备和特性研究 |
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| 引用本文： | 陈荔群,蔡志猛,周志文.Si基Ge波导共振腔增强型光电探测器的制备和特性研究[J].光电子．激光,2016,27(12):1281-1285. |
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| 作者姓名： | 陈荔群 蔡志猛 周志文 |
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| 作者单位： | 集美大学 诚毅学院,福建 厦门 361021;厦门华厦学院,福建 厦门 361000;厦门大学 物理系,半导体光子学研究中心,福建 厦门 361005 |
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| 基金项目： | 福建省中青年教师教育科研(JA15654)资助项目 (1.集美大学 诚毅学院,福建 厦门 361021； 2.厦门华厦学院,福建 厦门 361000； 3. 厦门大学 物理系,半导体光子学研究中心,福建 厦门 361005) |
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| 摘 要： | 采用低温缓冲层技术,在硅(Si)衬底上生长了质量 优良的锗(Ge)薄膜。Ge层受到由于Si和Ge热膨胀系数不同引入张应变,大小约为0. 16%。以 外延的Ge层作为吸收区,前后以Ge/空气作为分布布拉格反射镜(DBR),在Si基上制备波导共 振腔增强 型(RCE)光电探测器。测试表明,器件在－1V偏压下,暗电流密度为14.9mA/cm2；在零偏压下, 器件的响应光谱在1.3~1.6μm波长范围内观察到4个共振增强峰,分 别位于1.35、 1.50μm,光响应波长范围扩展到1.6μm以上,采用传输矩阵法模拟的 响应光谱与实验测得结果近似吻合；在1.55μm入射光的照射下,测 得光响应度为21.4mA/W。
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| 关 键 词： | 锗(Ge) 波导探测器 共振增强效应 |
| 收稿时间： | 8/5/2016 12:00:00 AM |
Fabrication and characteristics of Si-based resonant-cavity-enhanced waveguid e photodetectors |
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| CHEN Li-qun,CAI Zhi-meng and ZHOU Zhi-wen.Fabrication and characteristics of Si-based resonant-cavity-enhanced waveguid e photodetectors[J].Journal of Optoelectronics·laser,2016,27(12):1281-1285. |
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| Authors: | CHEN Li-qun CAI Zhi-meng and ZHOU Zhi-wen |
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| Affiliation: | Chengyi University College,Jimei University,Xiamen 361021,China;Xiamen Huaxia University,Xiamen 361000,China;Department of Physics,Xiamen U niversity,Xiamen 361005,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | germanium (Ge) waveguide photodetector resonant enhancement effect |
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