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| 1200 V IGBT的性能优化 | |
| 作者单位： | ;1.上海先进半导体制造股份有限公司 |
| 摘 要： | 主要研究1200 V IGBT器件的性能优化方法。理论分析了IGBT结构参数与其主要性能的关系,按1200 V IGBT器件击穿电压和饱和压降的设计要求,重点讨论了FS、JFET注入、延长JFET退火时间和减小Pring注入剂量对IGBT器件击穿电压(BV)和饱和压降(Vdson)的影响,最终得到了满足器件设计要求的最佳性能参数。 |
| 关 键 词： | IGBT FS-IGBT JFET注入 JFET退火 Pring注入 击穿电压 饱和压降 |
An Optimization Method of 1200 V IGBT |
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