|
|||||
|
|
| SiC功率器件 | |
| 引用本文： | 张玉明,罗晋生.SiC功率器件[J].电子科技导报,1996(11):24-29. |
| 作者姓名： | 张玉明 罗晋生 |
| 作者单位： | [1]西安电子科技大学 [2]西安交通大学 |
| 摘 要： | 本文采用计算材料优值和器件模拟的方法预测了ＳｉＣ的高频大功率特性，综述了目前ＳｉＣ功率器件的发展最高水平，高压整流器和晶体管如功率ＭＯＳＦＥＴｓ，ＪＦＥＴｓ，ＭＥＳＦＥＴｓ都具有较小的有源面积，而性能已初步显示出ＳｉＣ高温大功率工作的优势。 |
| 关 键 词： | 碳化硅 功率器件 场效应功率器件 |
| 本文献已被 维普 等数据库收录！ | |
