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| 在蓝宝石衬底两个相反c面同时生长氮化镓薄膜的差异 | |
| 引用本文： | 韩培德,段晓峰,孙家龙,张泽,王占国.在蓝宝石衬底两个相反c面同时生长氮化镓薄膜的差异[J].半导体学报,2001,22(8):1030-1034. |
| 作者姓名： | 韩培德 段晓峰 孙家龙 张泽 王占国 |
| 作者单位： | [1]中国科学院半导体研究所，半导体材料科学研究室，北京100083 [2]中国科学院凝聚态物理中心，北京电子显微镜实验 |
| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划);863-307-21-01; |
| 摘 要： | 运用金属有机气相外延设备 ,在蓝宝石衬底两个相反取向的 c面上同时生长六方相氮化镓薄膜 .对此进行了扫描电子显微镜、俄歇电子能谱、透射电子显微镜的分析和研究 .发现这两个薄膜有许多不同之处 |
| 关 键 词： | 极性 GaN MOVPE 微观结构 |
| 文章编号： | 0253-4177（2001）08-1030-05 |
| 修稿时间： | 2000年9月26日 |
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