| Sn掺杂CdO透明导电薄膜的制备和光电性能研究 |
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| 引用本文： | 郑必举,胡文.Sn掺杂CdO透明导电薄膜的制备和光电性能研究[J].真空,2013,50(1). |
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| 作者姓名： | 郑必举 胡文 |
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| 作者单位： | 昆明理工大学,材料科学与工程学院,云南昆明650093 |
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| 摘 要： | 通过脉冲激光法在石英玻璃基底上沉积了锡掺杂氧化镉(Sn-CdO)透明导电薄膜.X射线衍射,分光光度计和霍尔效应仪检测了薄膜的结构、光学和电学性能.结果表明Sn的掺杂提高了薄膜111]方向的择优生长,而且促使了(200)晶面衍射角增大.Sn-CdO薄膜的光学禁带宽度随着Sn掺杂含量的增加而变宽.另外,适量的Sn掺杂可以明显改善CdO薄膜的电学性能,比如2.9 at％ Sn掺杂CdO薄膜的电阻率是未掺杂薄膜的十二分之一,载流子浓度是未掺杂的十三倍.因而光学和电学性能的改良使得Sn-CdO薄膜作为透明导电材料具有重要的应用价值.
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| 关 键 词： | 氧化镉 脉冲激光沉积 透明导电氧化物 霍尔效应 |
Preparation of Sn doped CdO transparent conductive film and its photoelectric properties |
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| ZHENG Bi-ju
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HU Wen.Preparation of Sn doped CdO transparent conductive film and its photoelectric properties[J].Vacuum,2013,50(1). |
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| Authors: | ZHENG Bi-ju HU Wen |
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