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氧分压对反应磁控溅射ZrO2薄膜光学透射率的影响
引用本文:赵莎,徐可为.氧分压对反应磁控溅射ZrO2薄膜光学透射率的影响[J].功能材料,2004,35(Z1):3162-3164.
作者姓名:赵莎  徐可为
作者单位:赵莎(西安交通大学,金属材料强度国家重点实验室,陕西,西安,710049);徐可为(西安交通大学,金属材料强度国家重点实验室,陕西,西安,710049)
摘    要:从氧空位、表面粗糙度及晶界三方面,讨论了氧分压对射频反应磁控溅射ZrO2薄膜光学透射率的影响.结果表明,随氧分压增大,氧空位的减少使单斜相逐渐占优,缺氧状况的改善使薄膜透射率逐渐升高;高氧分压下,出现颗粒聚集现象,表面粗糙度大幅增加及晶粒的聚集长大,使薄膜透射率下降.

关 键 词:氧分压  反应磁控溅射  ZrO2薄膜  光学透射率
文章编号:1001-9731(2004)增刊-3162-03
修稿时间:2004年4月30日

Impact of partial oxygen pressure on transmittance of RF reactively sputtered ZrO2 films
ZHAO Sha.Impact of partial oxygen pressure on transmittance of RF reactively sputtered ZrO2 films[J].Journal of Functional Materials,2004,35(Z1):3162-3164.
Authors:ZHAO Sha
Abstract:
Keywords:
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