| 生长条件对GaAs/Si薄膜结构特性的影响 |
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| 引用本文： | 涂洁磊,陈庭金,章晨静,吴长树,施兆顺.生长条件对GaAs/Si薄膜结构特性的影响[J].太阳能学报,2003(Z1):86-89. |
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| 作者姓名： | 涂洁磊 陈庭金 章晨静 吴长树 施兆顺 |
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| 作者单位： | 云南师范大学太阳能研究所,昆明,650092 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(59966002,60266002) |
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| 摘 要： | 该文介绍以单晶Si为衬底,热壁外延制备适合作太阳电池的GaAs多晶薄膜.采用电子探针(EPMA)测定薄膜的组分、表面与剖面形貌,x射线衍射(XRD)分析生长薄膜的结构特性.并分析了各种工艺条件对GaAs薄膜结构特性的影响,得出制备表面呈绒面结构、晶粒为柱状结构、可用作廉价、高效GaAs太阳电池衬底的多晶薄膜材料的最佳生长条件源温为900℃,衬底温度为700℃,生长时间为3h.
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| 关 键 词： | 太阳电池 GsAs/Si薄膜 绒面 柱状结构 |
| 文章编号： | 0254-0096(2003)增刊-0086-04 |
| 修稿时间： | 2002年8月20日 |
EFFECTS OF GROWTH CONDITIONS ON STRUCTURAL PERFORMANCE OF GaAs/Si FILM |
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