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| 磁整反应溅射氮化钛薄膜特性研究 | |
| 引用本文： | 罗维昂,章壮健,陈国荣,赵国庆,姜国宝.磁整反应溅射氮化钛薄膜特性研究[J].真空科学与技术学报,1987(5). |
| 作者姓名： | 罗维昂 章壮健 陈国荣 赵国庆 姜国宝 |
| 作者单位： | 复旦大学 (罗维昂，章壮健，陈国荣，赵国庆)，复旦大学(姜国宝) |
| 摘 要： | 作者用圆形磁控溅射装置,在氩和氮的混合气氛下淀积氮化钛薄膜。卢瑟福背散射谱和俄歇电子谱分析表明薄膜的化学配比为TiN。X射线衍射仪和透射式电子显微镜分析显示此种薄膜为多晶结构,晶粒大小为50～200埃。分光光度计测量结果表明在0.5～16微米波长范围内,它的光学反射率与纯金薄膜相似。氮化钛薄膜的电阻率为40～100微欧·厘米,它和N~+硅(电阻率为0.001欧姆·厘米)的接触电阻为6×10~(16)欧姆·厘米~2,和p型硅(电阻率为0.05欧姆·厘米)的接触电阻为6×10~(-3)欧姆·厘米~2。 |
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