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在β-SiC薄膜上热生长SiO_2薄膜的高频电容-电压特性
摘 要:
研究了干和湿条件下,在β-SiC薄膜上生长的SiO_2薄膜。β-SiC薄膜异质外延是生长在正晶轴和与晶轴偏离2°的两种(001)硅衬底上。在10kHz~1MHz的范围内,测量了金属-氧化物-半导体结构的电容-电压和电导-电压特性。这些结果表明,对于偏晶轴样品,界面的陷阱密度和有效固定氧化物电荷密度,一般比正晶轴样品低一些。
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