首页 | 官方网站   微博 | 高级检索  
     

亚微米MOSFET热载流子蜕变的二维计算机模拟和分析
引用本文:张锡盛,何新平,李志坚.亚微米MOSFET热载流子蜕变的二维计算机模拟和分析[J].半导体学报,1993,14(3):148-153.
作者姓名:张锡盛  何新平  李志坚
作者单位:清华大学微电子所,北京100084
摘    要:本文建立了包括热载流子发射和界面电荷生成的热载流子蜕变模型,考虑了界面电荷对发射的反馈影响。以PISCES程序为基础,建立了模拟热载流子蜕变的二维程序。模拟并分析了0.75μm MOSFET在不同偏压下的蜕变,模拟结果和实验符合得相当好。

关 键 词:场效应晶体管  载流子  计算机模拟
本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录!
点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息
点击此处可从《半导体学报》下载全文
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司    京ICP备09084417号-23

京公网安备 11010802026262号