|
|||||
|
|
| 表面钝化对HfTiON栅介质Ge MOS电容性能的影响 | |
| 引用本文： | 邹晓, 徐静平, 黎沛涛, 李春霞,.表面钝化对HfTiON栅介质Ge MOS电容性能的影响[J].电子器件,2008,31(4). |
| 作者姓名： | 邹晓 徐静平 黎沛涛 李春霞 |
| 作者单位： | 1. 江汉大学机电与建筑工程学院,武汉,430056 2. 华中科技大学电子科学与技术系,武汉,430074 3. 香港大学电机与电子工程系,薄扶林道,香港 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金，中国香港特别行政区(HKSAR)科研资助委员会资助项目(RGC) |
| 摘 要： | 通过NO、N2O对Ge衬底进行表面钝化,生长GeOxNy界面层,然后采用反应磁控共溅射方法制备HfTiN薄膜,并利用湿N2气氛退火,将HfTiN转化为HfTiON高κ栅介质.研究了表面钝化对MOS器件性能的影响,结果表明,湿NO表面钝化能改善界面质量,有效降低MOS电容的栅极漏电流,增强器件的可靠性. |
| 关 键 词： | 锗金属氧化物半导体 氮化氧化钛铪 表面钝化 界面层 |
Impacts of Surface Passivation Process on the Performances of Ge MOS Capacitor with HfTiON Gate Dielectric |
|
| ZOU Xiao,XU Jing-ping,LI Pei-tao,LI Chun-xia.Impacts of Surface Passivation Process on the Performances of Ge MOS Capacitor with HfTiON Gate Dielectric[J].Journal of Electron Devices,2008,31(4). | |
| Authors: | ZOU Xiao XU Jing-ping LI Pei-tao LI Chun-xia |
| Affiliation: | ZOU Xiao1,XU Jing-ping2,LI Pei-tao3,LI Chun-xia3 1.School of Electromachine & Architecture Engineering,Jianghan University,Wuhan 430056,China,2.Department of Electronic Science & Technology,Huazhong University of Science , Technology,Wuhan 430074,3.Department of Electrical & Electronic Engineering,the University of Hong Kong,Pokfulam Road,Hong Kong |
| Abstract: | |
| Keywords: | Ge MOS HfTiON surface passivation interlayer |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ | |
| 点击此处可从《电子器件》浏览原始摘要信息 | |
| 点击此处可从《电子器件》下载全文 | |
