首页 | 官方网站   微博 | 高级检索  
     

离子束溅射生长非晶Si薄膜的研究
引用本文:邓书康 陈刚 高立刚 陈亮 俞帆 方静华 杨宇. 离子束溅射生长非晶Si薄膜的研究[J]. 功能材料, 2004, 35(Z1): 1116-1118
作者姓名:邓书康 陈刚 高立刚 陈亮 俞帆 方静华 杨宇
作者单位:邓书康(云南大学,化学与材料工程系,云南,昆明,650091);陈刚(云南大学,化学与材料工程系,云南,昆明,650091);高立刚(云南大学,化学与材料工程系,云南,昆明,650091);陈亮(云南大学,化学与材料工程系,云南,昆明,650091);俞帆(云南大学,化学与材料工程系,云南,昆明,650091);方静华(云南大学,化学与材料工程系,云南,昆明,650091);杨宇(云南大学,化学与材料工程系,云南,昆明,650091)
基金项目:云南省科技攻关资助项目(2001G06)
摘    要:用离子束溅射法制备了不同衬底温度的非晶硅(a-Si)薄膜,用双四探针法测量了不同温度下的电阻率,用喇曼散射及原子力显微镜表征了薄膜显微结构.结果发现随着衬底温度的升高,薄膜的电阻率逐渐增大,衬底温度为室温的a-Si薄膜质量较好且从其表面形貌可观察到少量Si晶粒的存在.

关 键 词:离子束溅射  非晶硅  喇曼散射  电阳率
文章编号:1001-9731(2004)增刊-1116-03
修稿时间:2004-05-03

Study of amorphous Si thin films fabricated by ion-beam sputtering
Abstract:
Keywords:
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司    京ICP备09084417号-23

京公网安备 11010802026262号