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| 硅基光子晶体板的光刻和反应离子刻蚀 | |
| 引用本文： | 张磊,张晓玉,张福甲,姚汉民,杜春雷,刘强,潘莉.硅基光子晶体板的光刻和反应离子刻蚀[J].光电工程,2004,31(2):1-3,7. |
| 作者姓名： | 张磊 张晓玉 张福甲 姚汉民 杜春雷 刘强 潘莉 |
| 作者单位： | 1. 中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室,四川,成都,610209;兰州大学物理科学与技术学院,甘肃,兰州,730000 2. 中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室,四川,成都,610209 3. 兰州大学物理科学与技术学院,甘肃,兰州,730000 |
| 基金项目： | 中国科学院光电技术研究领域前沿部署课题 |
| 摘 要： | 用光刻和反应离子刻蚀的方法对硅材料光子晶体板的制作进行了研究。实验发现,与激光 直写曝光相比,光刻曝光更有利于胶上图形的陡直度。扫描电子显微镜测试表明,反应离子刻蚀后得到深3.3μm,晶格周期10.95μm,占空比50%的孔状光子晶体板结构,孔的陡直度保持较好,基本满足设计要求。 |
| 关 键 词： | 光子晶体 光刻 离子蚀刻 激光直写 扫描电子显微镜 |
| 文章编号： | 1003-501X(2004)02-0001-03 |
| 收稿时间： | 2003/11/20 |
Lithography and Reactive Ion Etching of Silicon-Based Photon Crystal Slab |
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| ZHANG Lei,ZHANG Xiao-yu,ZHANG Fu-jia,YAO Han-min DU Chun-lei,LIU Qiang,PAN Li.Lithography and Reactive Ion Etching of Silicon-Based Photon Crystal Slab[J].Opto-Electronic Engineering,2004,31(2):1-3,7. | |
| Authors: | ZHANG Lei ZHANG Xiao-yu ZHANG Fu-jia YAO Han-min DU Chun-lei LIU Qiang PAN Li |
| Affiliation: | ZHANG Lei1,2,ZHANG Xiao-yu1,ZHANG Fu-jia2,YAO Han-min1 DU Chun-lei1,LIU Qiang1,PAN Li1 |
| Abstract: | |
| Keywords: | Photon crystals Lithography Ion etching Laser direct writing Scanning electron micro-scopes |
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