| 0.25μm GaAs基MHEMT器件 |
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| 引用本文： | 石华芬,刘训春,张海英,石瑞英,王润梅,汪宁,罗明雄.0.25μm GaAs基MHEMT器件[J].半导体学报,2004,25(3):325-328. |
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| 作者姓名： | 石华芬 刘训春 张海英 石瑞英 王润梅 汪宁 罗明雄 |
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| 作者单位： | [1]中国科学院微电子中心,北京100029 [2]中国科学院研究生院,北京100039 |
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| 摘 要： | 采用普通接触曝光研制成栅长为0 .2 5 μm的Ga As基In Al As/ In Ga As变组分高电子迁移率晶体管(MHEMT) ,测得其跨导为5 2 2 m S/ m m,沟道电流密度达4 90 m A/ mm,截止频率为75 GHz,比同样工艺条件下Ga As基In Ga P/ In Ga As PHEMT的性能有很大的提高.对该器件工艺及结果进行了分析,提取了器件的交流小信号等效电路模型参数,并提出了进一步得到高稳定性、高性能器件的方法.
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| 关 键 词： | 铟铝砷/铟镓砷 变组分高电子迁移率晶体管 赝配高电子迁移率晶体管 |
| 文章编号： | 0253-4177(2004)03-0325-04 |
| 修稿时间： | 2003年3月21日 |
0.25μm GaAs-Based MHEMT Device |
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| Shi Huafen ,Liu Xunchun,Zhang Haiying,Shi Ruiying ,Wang Runmei,Wang Ning and Luo Mingxiong.0.25μm GaAs-Based MHEMT Device[J].Chinese Journal of Semiconductors,2004,25(3):325-328. |
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| Authors: | Shi Huafen Liu Xunchun Zhang Haiying Shi Ruiying Wang Runmei Wang Ning and Luo Mingxiong |
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| Affiliation: | Shi Huafen 1,2,Liu Xunchun1,Zhang Haiying1,Shi Ruiying 1,2,Wang Runmei1,Wang Ning1 and Luo Mingxiong1 |
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| Abstract: | m GaAs-based InAlAs/InGaAs MHEMT device fabricated in our laboratory is introduced.The extrinsic transconductance of the device is 522mS/mm while channel current density is 490mA/mm,and the calculated cutoff frequency is 75GHz.The device performances are better than the GaAs-based InGaP/InGaAs PHEMT,which is fabricated with the same processes.By the analysis of the results,the MHEMT small signal equivalent circuit model parameters are extracted.Finally,the methods to improve the characteristics of these devices are also described. |
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| Keywords: | InAlAs/InGaAs MHEMT PHEMT |
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