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| SIMOX材料注F+后的SIMS分析 | |
| 引用本文： | 曾健,高剑侠.SIMOX材料注F+后的SIMS分析[J].半导体技术,1999,24(5):34-35. |
| 作者姓名： | 曾健 高剑侠 |
| 作者单位： | 1. 新疆哈密教育学院,哈密,839000 2. 中科院上海冶金所,上海,200050 |
| 摘 要： | 实验中采用三种剂量注入ＳＩＭＯＸ材料中，注入剂量分别为５×１０＾１２Ｆ＾＋／ｃｍ＊＾２，５×１０＾１３Ｆ＾＋／ｃｍ＾２，１×１０＾５Ｆ＾＋／ｃｍ＾２，用ＳＩＭＳ技术了Ｆ在材料中的浓度分析，结果表明，随着注Ｆ＾＋能量和剂量的改变，Ｆ＾＋在材料中的深度分布也相应改变。 |
| 关 键 词： | F离子注入 材料 SIMS分析 抗辐射 |
| 修稿时间： | 19980907 |
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