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| 160W／20A,NPN／PNP型硅功率达林顿对管研制 | |
| 引用本文： | 白宏光,葛虹宇.160W／20A,NPN／PNP型硅功率达林顿对管研制[J].上海微电子技术和应用,1995(4):6-9,12. |
| 作者姓名： | 白宏光 葛虹宇 |
| 摘 要： | 本文通过１６０ＯＷ／２０Ａ、ＮＰＮ／ＰＮＰ功率达林顿对管的研制，介绍ＦＨ３０９１ＲＨ３１０处延平面达林顿对管基本设计考虑，研制主要难点，采取的主要措施，研制结果与应用。 |
| 关 键 词： | 氧化背封 表面钝化 功率达林顿 晶体管 |
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