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| p型含氮CZ—Si单晶的退火性质 | |
| 引用本文： | 陈畅生,曾繁清,曾瑞,陈炳若,龙理,何民才,张锦心,李立本.p型含氮CZ—Si单晶的退火性质[J].半导体学报,1993,14(1):43-47. |
| 作者姓名： | 陈畅生 曾繁清 曾瑞 陈炳若 龙理 何民才 张锦心 李立本 |
| 作者单位： | [1]武汉大学物理系，武汉430072 [2]浙江大学半导体材料研究 |
| 摘 要： | 本文报道了在不同热处理条件下P型含氮CZ-Si单晶材料的退火性质。实验表明:400℃及1100℃温度的退火处理都会在含氮CZ-Si单晶中产生新的施主态。400℃退火时产生的施主态会在高温(T>600℃)退火时迅速消灭,它与单晶中N-O复合体的生成和生长机制有关;1100℃退火时产生的施主态则与材料中的氮沉淀有关。 |
| 关 键 词： | 单晶制备 含氮CZ－Si 退火 |
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