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| 硅外延层厚度均匀性的研究 | |
| 引用本文： | 朱作云,李跃进,周世禄,崔艳玲.硅外延层厚度均匀性的研究[J].西安电子科技大学学报,1988(1). |
| 作者姓名： | 朱作云 李跃进 周世禄 崔艳玲 |
| 作者单位： | 西北电讯工程学院微电子研究所，西北电讯工程学院微电子研究所，西北电讯工程学院微电子研究所，西北电讯工程学院微电子研究所 |
| 摘 要： | 外延生长时的气流状态对硅外延生长有重要的影响。本文根据对气流状态的分析和实验,提出加放气流板和HCl逆腐蚀两种方法,用以改善外延层厚度均匀性,收到了明显的效果。 |
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