| 制备工艺参数对Cu表面Cu/Si梯度层断面显微组织的影响 |
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| 引用本文： | 李运刚,田薇,方秀君.制备工艺参数对Cu表面Cu/Si梯度层断面显微组织的影响[J].材料工程,2013(2):65-68,98. |
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| 作者姓名： | 李运刚 田薇 方秀君 |
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| 作者单位： | 河北联合大学河北省现代冶金技术重点实验室,河北唐山,063009 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金项目(50944050);河北省自然科学基金(E20100000945) |
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| 摘 要： | 以Cu为基体,利用KCl-NaCl-NaF-SiO2熔盐体系电沉积出的硅作为渗硅硅源,电沉积硅和在Cu基体上渗硅同时进行,制备了Cu/Si梯度层。本工作就制备工艺参数对梯度层断面显微组织的影响进行了研究,结果表明:Cu/Si的梯度层断面由不同显微组织的表面层、中间层和过渡层构成,表面层是等轴晶组织,中间层是柱状晶组织;梯度层厚度随电沉积渗硅温度的升高、电沉积时间的延长而增厚,并且表面层晶粒、中间层晶粒均得到细化;电沉积时间延长,表面层厚度逐渐增大,中间层厚度逐渐减小;梯度层中,表面层金相相组织由(Cu)相、К相、γ相、η相和ε相中的一相或两相构成;中间层完全是(Cu)相。
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| 关 键 词： | Cu/Si梯度材料 工艺参数 显微组织 电沉积硅 |
Influence of Preparation Parameter on Microstructure of Cu/Si Gradient Layer Section on Copper Surface |
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| LI Yun-gang
,
TIAN Wei
,
FANG Xiu-jun.Influence of Preparation Parameter on Microstructure of Cu/Si Gradient Layer Section on Copper Surface[J].Journal of Materials Engineering,2013(2):65-68,98. |
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| Authors: | LI Yun-gang TIAN Wei FANG Xiu-jun |
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| Affiliation: | (Hebei Key Laboratory of Modern Metallurgy Technology,Hebei United University,Tangshan 063009,Hebei,China) |
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| Abstract: | |
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