| 氢气气氛中后续退火处理对ZnO:Al薄膜光电性能的影响 |
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| 引用本文： | 甘柳忠,吴炳俊,黄烽,李明,谢斌.氢气气氛中后续退火处理对ZnO:Al薄膜光电性能的影响[J].中国科学技术大学学报,2010,40(7). |
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| 作者姓名： | 甘柳忠 吴炳俊 黄烽 李明 谢斌 |
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| 作者单位： | 中国科学技术大学合肥微尺度物质科学国家实验室,安徽合肥,230026 |
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| 摘 要： | 利用自由基辅助磁控溅射法在载玻片衬底上制备了透明导电ZnO:Al薄膜(简称AZO薄膜).研究了氢气气氛中后续退火处理对Al掺杂效率以及AZO薄膜性能的影响.研究结果表明,退火处理提高Al的掺杂效率、降低中性杂质浓度,从而提高了AZO薄膜的导电性能.AZO薄膜550℃下在H2气氛中退火处理后,其电阻率为6.5×10-4Ω·cm,550nm波长的透射率为85.7%,载流子浓度为3.3×1020cm-3,迁移率为29.7cm2·V-1·s-1.
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| 关 键 词： | AZO薄膜 自由基辅助磁控溅射 中性杂质散射 掺杂效率 后退火处理 |
Effects of post-annealing in hydrogen atmosphere on the properties of Al-doped ZnO films |
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| GAN Liuzhong,WU Bingjun,Huang Feng,LI Ming,XIE Bin.Effects of post-annealing in hydrogen atmosphere on the properties of Al-doped ZnO films[J].Journal of University of Science and Technology of China,2010,40(7). |
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| Authors: | GAN Liuzhong WU Bingjun Huang Feng LI Ming XIE Bin |
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