| AlGaN/GaN异质结场效应晶体管的阈值电压 |
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| 引用本文： | 林兆军,赵建芝,张敏.AlGaN/GaN异质结场效应晶体管的阈值电压[J].半导体学报,2007,28(Z1):422-425. |
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| 作者姓名： | 林兆军 赵建芝 张敏 |
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| 作者单位： | 林兆军（山东大学物理与微电子学院,济南,250010）;赵建芝（山东大学物理与微电子学院,济南,250010）;张敏（山东大学物理与微电子学院,济南,250010） |
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| 摘 要： | 利用AlGaN/GaN异质结场效应晶体管(AlGaN/GaN HFET)栅结构的电容-电压(C-V)特性确定AlGaN/GaN HFET的阈值电压.通过对模拟计算得到的AlGaN/GaN HFET电流-电压(I-V)特性曲线与测试得到的AlGaN/GaN HFET曲线比较分析,证实了依据AlGaN/GaN HFET栅结构的C-V特性曲线的微分极值点确定阈值电压是一种切实可行的方法.
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| 关 键 词： | AlGaN/GaN HFET 阈值电压 C-V曲线 |
| 文章编号： | 0253-4177(2007)S0-0422-04 |
| 修稿时间： | 2006年11月30 |
Threshold Voltage of AlGaN/GaN HFET |
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| Lin Zhaojun,Zhao Jianzhi,Zhang Min.Threshold Voltage of AlGaN/GaN HFET[J].Chinese Journal of Semiconductors,2007,28(Z1):422-425. |
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| Authors: | Lin Zhaojun Zhao Jianzhi Zhang Min |
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| Keywords: | |
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