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自旋晶体管的最新研究进展
引用本文:钟智勇,刘爽,唐晓莉,石玉,刘颖力,张怀武.自旋晶体管的最新研究进展[J].微纳电子技术,2005,42(12):546-553.
作者姓名:钟智勇  刘爽  唐晓莉  石玉  刘颖力  张怀武
作者单位:1. 电子科技大学,微电子与固体电子学院,成都 610054
2. 电子科技大学,光电信息学院,成都 610054
基金项目:国家自然科学基金资助项目(90306015),四川省青年学术带头人培养基金资助项目(04ZQ026-003)
摘    要:自旋晶体管是指利用电子自旋自由度构建的在结构上类似于传统半导体晶体管的三端自旋器件。对基于自旋劈裂的磁双极型自旋晶体管、基于热电子输运的自旋晶体管和基于Rashba效应的自旋晶体管的最新研究动态进行了评述,并对其发展前景做了展望。

关 键 词:自旋电子学  自旋晶体管  自旋劈裂  热电子  Rashba效应
文章编号:1671-4776(2005)12-0546-08
修稿时间:2005年7月3日

New Research on Spin Transistor
ZHONG Zhi-yong,LIU Shuang,TANG Xiao-li,SHI Yu,LIU Ying-li,ZHANG Huai-wu.New Research on Spin Transistor[J].Micronanoelectronic Technology,2005,42(12):546-553.
Authors:ZHONG Zhi-yong  LIU Shuang  TANG Xiao-li  SHI Yu  LIU Ying-li  ZHANG Huai-wu
Abstract:Spin transistor is a three-terminal spin electronic device,which is similar as conventional semiconductor transistor.The spin transistors include magnetic bipolar spin transistor based on spin-splitting effect,spin transistor based on the spin-dependent transport of hot electrons and spin transistor based on Rashba effects.The new research and potential development of various types of spin transistors are reviewed.
Keywords:spin electronics  spin transistor  spin splitting  hot-electron  Rashba effect
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