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| 短沟道SOI中的阈值电压下降问题的研究 | |
| 引用本文： | 吴一尘,黄河.短沟道SOI中的阈值电压下降问题的研究[J].现代计算机,2009(4). |
| 作者姓名： | 吴一尘 黄河 |
| 作者单位： | 华南师范大学计算机学院,广州510631 |
| 摘 要： | 运用电荷分享模型推导出背界面处于耗尽状态的单栅和双栅薄膜SOIMOSFET中短沟道效应引起的闽值电压下降的理论模型。利用MatLab进行了数值模拟计算．并比较了单栅和双栅器件的结果。同时分析了沟道区掺杂浓度、硅膜厚度、栅氧化层厚度对阈值电压下降的影响。结果表明．薄膜器件有利于减小短沟道效应．而双栅器件短沟道效应比单栅器件减小4倍。另外．对于薄膜器件来说，改变器件结构要比改变器件参数对短沟道效应的抑制作用好得多。 |
| 关 键 词： | 单栅SOI MOSFET 双栅SOI MOSFET 短沟道效应 闻值电压下降 |
Analysis of Threshold Voltage Decreasing for Single-Gate and Double-Gate SOI MOSFET |
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