|
|||||
|
|
| 低电压Σ-Δ调制器关键技术及设计实例 | |
| 引用本文： | 刘爱荣,孔耀辉,杨华中.低电压Σ-Δ调制器关键技术及设计实例[J].微电子学,2008,38(5). |
| 作者姓名： | 刘爱荣 孔耀辉 杨华中 |
| 摘 要： | 介绍了低电压开关电容Σ-Δ调制器的实现难点及解决方案,并设计了一种1 V工作电压的Σ-Δ调制器.在0.18 μm CMOS工艺下,该Σ-Δ调制器采样频率为6.25 MHz,过采样比为156,信号带宽为20 kHz;在输入信号为5.149 kHz时,仿真得到Σ-Δ调制器的峰值信号噪声失真比达到102 dB,功耗约为5 mW. |
| 关 键 词： | Σ-Δ调制器 开关电容 CMOS电路 |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ | |
