NEC公司开发1Gb DRAM用的存储单元 |
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引用本文: | 一凡.NEC公司开发1Gb DRAM用的存储单元[J].微电子技术,1996(2). |
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作者姓名: | 一凡 |
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摘 要: | NEC公司采用0.2μm电子束曝光技术已制成0.375μm2单元面积1GbDRAM用的存储单元。新存储单元,由于把通过存储单元内的位线作成斜形状,用在IGbDRA负中存储单元面积的“斜位线结构”和“担氧化膜”的低温工艺技术来实现的。斜位线结构,在开位线结构中把通过存储单元内的位线作成斜形状,使存储单元的面积缩小到以前的75%。低温技术是在500t下可实施层间膜的平坦化和布线用触点形成的技术,根施这种技术,可控制但氧化膜的恶化,用氧化膜换算,可使用2.sum的极薄袒氧化股,可与HSG硅结构组合,存储容量为28.5fF。另外,该公司作…
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