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一种降低寄生电容影响的64×4红外焦平面读出电路
引用本文:唐矩,鲁文高,陈中建,吉利久,张兴.一种降低寄生电容影响的64×4红外焦平面读出电路[J].红外,2007,28(8):1-5.
作者姓名:唐矩  鲁文高  陈中建  吉利久  张兴
作者单位:北京大学信息科学学院微电子系,北京100871
基金项目:云南省省院省校科技合作计划项目(2006YX28)
摘    要:本文提出了一种64×4扫描型红外焦平面读出电路。电路采用0.5μm标准CMOS工艺。工作电压为5V。本设计在列读出级采用了降低寄生电容影响的设计,以降低电路输出相对无寄生电容设计输出值的偏差,提高各通道的一致性。在对具有4级TDI、微扫描步长为探测器中心间距1/3的读出电路列暂存级进行的仿真中,相对于改进前的普通电路结构,本文提出的新型电路结构与设计理想值之间的偏差降为原来的10%。

关 键 词:读出电路  寄生电容  列读出级
文章编号:1672-8785(2007)08-0001-05
修稿时间:2007-03-13

A 64×4 IRFPA Readout IC with Low Parasitic Capacitance Effect
TANG Ju,LU Wen-gao,CHEN Zhong-jian,JI Li-jiu,ZHANG Xing.A 64×4 IRFPA Readout IC with Low Parasitic Capacitance Effect[J].Infrared,2007,28(8):1-5.
Authors:TANG Ju  LU Wen-gao  CHEN Zhong-jian  JI Li-jiu  ZHANG Xing
Affiliation:Institute of Micro-electronics, School of Electronics Engineering and Computer Science, Peking University, Beijing 100871, China
Abstract:
Keywords:ROIC  parasitic capacitance  column readout stage
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