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Mg2+掺杂对SrTiO3薄膜光电特性的影响
引用本文:刘雪婷,何崇斌,薛异荣,焦龙龙.Mg2+掺杂对SrTiO3薄膜光电特性的影响[J].功能材料,2013,44(Z1):105-107.
作者姓名:刘雪婷  何崇斌  薛异荣  焦龙龙
作者单位:1. 西北大学信息科学与技术学院,陕西西安,710127
2. 西安电子科技大学技术物理学院,陕西西安,710071
基金项目:西北大学研究生创新基金资助项目
摘    要:利用溶胶-凝胶法在Al2O3陶瓷片上制备掺Mg的SrTiO3薄膜。在SrTiO3中掺杂不同含量的Mg离子,Mg在钛酸锶中取代钛位,形成受主掺杂。研究了掺杂对薄膜电阻率的影响,实验表明,当掺杂浓度为4%时,电阻率最小。当掺杂浓度为4%时,薄膜电阻率会随着光功率变化而变化,当光功率<100W时,电阻迅速减小,超过100W时,减小幅度变小。

关 键 词:溶胶-凝胶  SrTiO3薄膜  Mg掺杂  电阻率

The influence of doped Mg2+ SrTiO3 film photoelectric properties
LIU Xue-ting , HE Chong-bin , XUE Yi-rong , JIAO Long-long.The influence of doped Mg2+ SrTiO3 film photoelectric properties[J].Journal of Functional Materials,2013,44(Z1):105-107.
Authors:LIU Xue-ting  HE Chong-bin  XUE Yi-rong  JIAO Long-long
Affiliation:1(1.Institute of Information Science and Technology,Northwest University,Xi’an 710127,China; 2.Institute of Technology and Physics,Xidian University,Xi’an 710071,China)
Abstract:
Keywords:sol-gel  SrTiO3 thin film  Mg-doped  resistively
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