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| 外延硅dE／dX探测器的研制 | |
| 引用本文： | 王柱生,晁致远.外延硅dE／dX探测器的研制[J].核电子学与探测技术,1994,14(3):149-155. |
| 作者姓名： | 王柱生 晁致远 |
| 作者单位： | 中国科学院近代物理研究所 |
| 摘 要： | 本文介绍了厚度为５．２－６．０、１０－１３、１９μｍ，有效面积为２８－１５４ｍｍ＾２的外延硅ｄＥ／ｄＸ探测器的研制工艺，主要用途，测试结果（对９．８７ＭｅＶ α粒子的能损△Ｅ的分辨率为５６－１２８ｋｅＶ）和在核物理实验中的应用。 |
| 关 键 词： | 外延硅 dE／dX 探测器 半导体探测器 |
Development of Epitaxial Silicon Detectors |
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| Wang Zhusheng,Chao Zhiyuan,Xu Jinian,Xu Xiaoji,Hu Zhiquang.Development of Epitaxial Silicon Detectors[J].Nuclear Electronics & Detection Technology,1994,14(3):149-155. | |
| Authors: | Wang Zhusheng Chao Zhiyuan Xu Jinian Xu Xiaoji Hu Zhiquang |
| Affiliation: | Institute of Medern Physics.Academia Sinica;Lanzhou.730000 |
| Abstract: | |
| Keywords: | Epitaxial silicon dE/dX Dtetctor Oxidize Energy resolution) |
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