RF等离子体CVD合成氮化碳薄膜的XPS研究 |
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引用本文: | 吴大维,张志宏.RF等离子体CVD合成氮化碳薄膜的XPS研究[J].功能材料,1997,28(1):93-95. |
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作者姓名: | 吴大维 张志宏 |
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作者单位: | 武汉大学物理系,武汉工业大学 |
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摘 要: | 采用射频等离子体化学气相沉积技术合成氮化碳薄膜,测量其X射线光电子能谱(XPS),获得两组C(1s)电子和N(ls)电子结合能,它们是E(C^1)=398.0 ̄398.7eV,E(C^2)=284.6 ̄284.8eV;E(N^1)=398。0 ̄398.7eV,E(N^2)=400.0 ̄400.9eV。证实了薄膜中碳原子存在sp^3杂化轨道成键和sp^2杂化轨道成键两种键合形式。该方法合成的氮化碳薄
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关 键 词: | 氮化碳 XPS 薄膜 超硬材料 |
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