| 一种基于HfO2材料的RRAM波动性模型 |
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| 引用本文： | 方聪,李力南,张锋.一种基于HfO2材料的RRAM波动性模型[J].微电子学,2017,47(6):847-850, 855. |
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| 作者姓名： | 方聪 李力南 张锋 |
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| 作者单位： | 北京交通大学 电子信息工程学院, 北京 100044,北京交通大学 电子信息工程学院, 北京 100044,中国科学院微电子研究所, 北京 100029 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(61474134) |
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| 摘 要： | 基于HfO2材料制作了一种具有良好非易失性的阻变存储器(RRAM)。根据ECM导电细丝机制,建立了动态的Verilog-A模型,该模型包含了RRAM的波动特性。对模型进行直流电压扫描验证,与实际器件的电流-电压特性曲线进行拟合。验证结果表明,该模型具备RRAM器件优良的电学特性,波动特性的加入对电路的前期设计具有指导意义。对模型进行脉冲仿真,仿真结果表明高、低阻态之间的鉴别窗口大于100倍,转变时间小于30 ns。
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| 关 键 词： | 阻变存储器 Verilog-A模型 波动性 |
| 收稿时间： | 2017/3/1 0:00:00 |
A Fluctuation Model for RRAMs Based on HfO2 Material |
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| FANG Cong,LI Linan and ZHANG Feng.A Fluctuation Model for RRAMs Based on HfO2 Material[J].Microelectronics,2017,47(6):847-850, 855. |
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| Authors: | FANG Cong LI Linan and ZHANG Feng |
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| Affiliation: | School of Electronic and Information Engineering, Beijing Jiaotong University, Beijing 100044, P.R.China,School of Electronic and Information Engineering, Beijing Jiaotong University, Beijing 100044, P.R.China and Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, P.R.China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | RRAM Verilog-A model Fluctuation |
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