| 硅晶圆CMP抛光速率影响因素分析 |
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| 引用本文： | 谭刚.硅晶圆CMP抛光速率影响因素分析[J].微纳电子技术,2007,44(7):1-2,6. |
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| 作者姓名： | 谭刚 |
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| 作者单位： | 中国工程物理研究院,电子工程研究所,四川,绵阳,621900 |
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| 摘 要： | 化学机械抛光（CMP）技术是半导体工艺中不可缺少的重要工艺。针对硅晶圆CMP平坦性问题，系统地考察了压力、转速、抛光垫、浆料、温度等因素对硅晶圆平坦化速率的影响，从中找到它们之间的优化参数，减少CMP工艺中的表面划伤、抛光雾、金属离子沾污，清除残余颗粒，保证硅晶圆的平坦化质量。
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| 关 键 词： | 单晶硅 化学机械抛光 平坦化 |
| 文章编号： | 1671-4776（2007）07/08-0001-02 |
| 修稿时间： | 2007-03-29 |
Analysis of the Effects on Silicon Wafer CMP Velocity |
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| TAN Gang.Analysis of the Effects on Silicon Wafer CMP Velocity[J].Micronanoelectronic Technology,2007,44(7):1-2,6. |
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| Authors: | TAN Gang |
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| Affiliation: | Institute of Electronic Engineering, CAEP , Mianyang 621900, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | silicon chemical mechanical polishing flatness |
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