| 光控L波段平面GaAs－PIN二极管的实验研究 |
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| 引用本文： | 邵振亚,冷家波.光控L波段平面GaAs－PIN二极管的实验研究[J].固体电子学研究与进展,1995(1). |
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| 作者姓名： | 邵振亚 冷家波 |
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| 作者单位： | 南京电子器件研究所 |
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| 摘 要： | 报道光控平面ＧａＡｓ－ＰＩＮ二极管的实验结果。采用Ｖ形浅槽的全离子注入工艺，研制了ＧａＡｓ－ＰＩＮ二极管。器件击穿电压高达８０Ｖ，最小电容０．２ｐＦ。光控Ｉ－Ｖ曲线类似晶体管特性，光控电流能力为３００μＡ／ｍＷ。装成移相器电路，测得在Ｌ波段的光控相移２０°～２６°。
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| 关 键 词： | 平面GaAs－PIN二极管，光控微波半导体器件 |
Experimental Investigation on an Optically Controlled L Band Planar GaAs PIN Diode |
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| Shao Zhenya,Leng Jiabo.Experimental Investigation on an Optically Controlled L Band Planar GaAs PIN Diode[J].Research & Progress of Solid State Electronics,1995(1). |
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| Authors: | Shao Zhenya Leng Jiabo |
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| Keywords: | Planar GaAs PIN Diode Optically Controlled Microwave Semiconductor Device |
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