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| 深亚微米工艺ESD电路设计参数研究 | |
| 引用本文： | 李志国,岳素格,孙永姝.深亚微米工艺ESD电路设计参数研究[J].微电子学与计算机,2009,26(11). |
| 作者姓名： | 李志国 岳素格 孙永姝 |
| 作者单位： | 北京微电子技术研究所,北京,100076 |
| 摘 要： | 通过器件级仿真来评估ESD保护器件的鲁棒性的方法,对ESD电路的关键设计参数进行了研究.通过器件仿真软件MEDICI对栅极到源极接触孔的距离,栅极到漏极接触孔的距离以及栅极的宽度和长度对ESD性能的影响进行了研究,并分析了它们的失效机理.从而得出经验公式,可以在流片前估算出器件的ESD失效电压.通过在设计阶段预测器件的ESD性能可以缩短设计周期,节约成本. |
| 关 键 词： | ESD NMOS 击穿 仿真 |
Study of Parameters Limiting ESD Performance in Deep Submicron process |
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