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| GaAs探测器与放大电路的单片集成 | |
| 引用本文： | 杨沁清,高俊华.GaAs探测器与放大电路的单片集成[J].半导体学报,1990,11(5):395-398. |
| 作者姓名： | 杨沁清 高俊华 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所 北京 (杨沁清)，中国科学院半导体研究所 北京(高俊华) |
| 摘 要： | 本文介绍一种结构简单且与GaAs MESFET的制备工艺相容的GaAs MSM-PD器件,它可用作探测短波长激光。文中介绍了MSM—PD的特性,还叙述了它与MESFET放大电路的单片集成工艺。最后给出了集成芯片测试的初步结果。 |
| 关 键 词： | GaAs 探测器 放大电路 单片集成 |
Monolithic Integration of Amplifier with MSM-PD on GaAs |
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| Yang Qinqing/Institute of Semiconductors,Academia Sinica Gao Junhua/Institute of Semiconductors,Academia Sinica.Monolithic Integration of Amplifier with MSM-PD on GaAs[J].Chinese Journal of Semiconductors,1990,11(5):395-398. | |
| Authors: | Yang Qinqing/Institute of Semiconductors Academia Sinica Gao Junhua/Institute of Semiconductors Academia Sinica |
| Abstract: | |
| Keywords: | monolithic integration MSM-PD MESFET WSi_x |
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