| 场控变阻材料在高压陶瓷电容器边缘电场改善中的应用 |
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| 引用本文： | 张守斌,魏建中.场控变阻材料在高压陶瓷电容器边缘电场改善中的应用[J].西安交通大学学报,1996,30(3):56-62. |
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| 作者姓名： | 张守斌 魏建中 |
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| 摘 要： | 利用场控变阻材料电阻率随电场变化的特点，改善留边型平板高压陶瓷电容器电极边缘的电场，可以大幅度提高陶瓷电容器的性能，探讨了ＰｂＯ－Ｂ２Ｏ３－ＳｉＯ２系玻璃加入掺杂ＺｎＯ制成的半导体玻璃釉对陶瓷电容器电击穿强度，充放电寿命的影响，通过配方，工艺、电极结构的优化可以使留边型高压陶瓷电容器的击穿强度提高８０％以上，充放电寿命提高了１０倍以上，并与具有类似场控变阻性能的半导体漆作了对比。
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| 关 键 词： | 陶瓷电容器 电场分布 半导体玻璃 场控变阻材料 |
THE APPLICATION OF FIELD CONTROL RESISTIVITY MATERIAL IN IMPROVING THE ELECTRICAL FIELD AT ELECTRODE EDGE OF HV CERAMIC CAPACITOR |
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| Zhang,Shoubin,Wei,Jianzhong,Liu,Bin,Chen,Wei,Chen,Shoutian.THE APPLICATION OF FIELD CONTROL RESISTIVITY MATERIAL IN IMPROVING THE ELECTRICAL FIELD AT ELECTRODE EDGE OF HV CERAMIC CAPACITOR[J].Journal of Xi'an Jiaotong University,1996,30(3):56-62. |
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| Authors: | Zhang Shoubin Wei Jianzhong Liu Bin Chen Wei Chen Shoutian |
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| Affiliation: | School of electrical engineering |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | ceramic capacitor electric field distribution semiconductive glass |
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