表面等离子体提高GaN-LED发光效率的研究进展 |
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引用本文: | 刘春影,苗长云,刘宏伟,杨华,李晓云,牛萍娟.表面等离子体提高GaN-LED发光效率的研究进展[J].半导体技术,2014,39(12). |
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作者姓名: | 刘春影 苗长云 刘宏伟 杨华 李晓云 牛萍娟 |
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作者单位: | 天津工业大学电子与信息工程学院,天津300387;天津工业大学电子与信息工程学院,天津300387;天津工业大学电子与信息工程学院,天津300387;天津工业大学电子与信息工程学院,天津300387;天津工业大学电子与信息工程学院,天津300387;天津工业大学电子与信息工程学院,天津300387 |
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基金项目: | 国家自然科学青年基金资助项目(11404239);天津市自然科学基金资助项目(14JCQNJC01000) |
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摘 要: | 表面等离子体能够增强氮化镓发光二极管的发光效率,为高效发光二极管芯片的研究提供了可行的方案。近年来,国内外研究小组在利用表面等离子体增强氮化镓发光二极管发光效率的实验中,取得了很多有价值的结果。介绍了具有金属薄膜、金属颗粒和金属光子晶体等典型结构的氮化镓发光二极管。重点探讨了表面等离子体增强发光二极管发光的机理、结构和关键技术。对具有二维金属光子晶体的氮化镓发光二极管发光增强机理进行了分析和预测,认为利用二维光子晶体可以从内量子效率和外量子效率两方面增强器件发光,并且有很好的可控制性,是提高发光效率的可行方案。
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关 键 词: | 氮化镓发光二极管 表面等离子体 内量子效率 光提取 发光效率 |
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