| 金属掺杂改善HfO2阻变存储器(RRAM)氧空位导电细丝性能 |
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| 引用本文： | 王菲菲,代月花,卢文娟,鲁世斌,汪海波,万丽娟,蒋先伟.金属掺杂改善HfO2阻变存储器(RRAM)氧空位导电细丝性能[J].材料科学与工程学报,2021,39(3):445-451. |
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| 作者姓名： | 王菲菲 代月花 卢文娟 鲁世斌 汪海波 万丽娟 蒋先伟 |
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| 作者单位： | 安徽大学电子信息工程学院,安徽 合肥 230601;电子信息系统仿真设计安徽省重点实验室,合肥师范学院,安徽 合肥 230601;安徽大学电子信息工程学院,安徽 合肥 230601;电子信息系统仿真设计安徽省重点实验室,合肥师范学院,安徽 合肥 230601;光电探测科学与技术安徽高校联合重点实验室,合肥师范学院,安徽 合肥 230601 |
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| 摘 要： | 本研究采用金属掺杂的方式调控氧空位导电细丝的电子结构以获得更好的器件性能.计算了HfO2体系中四组氧空位的形成能,得到VO4-VO23-VO34-VO46最易形成的氧空位簇;分波电荷态密度进一步表明在010]晶向上电荷聚集形成导电通道.另外,研究了Ag、Mg、Ni、Cu、Al、Ta、Ti掺杂对该缺陷体系电子结构的影响,显示Ni与其它金属相比,在共缺陷体系中最易形成,体系最稳定;VO-Ni共缺陷体系中导电细丝最均匀,最高等势面值最大,证明导电细丝最易形成;VO-Ni之间相互作用能为-2.335 eV,表明缺陷相互吸引;金属Ni具有很强的局域电子能力.
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| 关 键 词： | 阻变存储器 氧空位 导电细丝 掺杂 第一性原理 |
Influence of Metal Doping on Property of Oxygen Vacancy Conductive Filament in HfO2 |
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| WANG Feifei,DAI Yuehua,LU Wenjuan,LU Shibin,WANG Haibo,WAN Lijuan,JIANG Xianwei.Influence of Metal Doping on Property of Oxygen Vacancy Conductive Filament in HfO2[J].Journal of Materials Science and Engineering,2021,39(3):445-451. |
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| Authors: | WANG Feifei DAI Yuehua LU Wenjuan LU Shibin WANG Haibo WAN Lijuan JIANG Xianwei |
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