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| Ge＿xSi＿（1－x）／Si应变层超晶格的LACBED研究 | |
| 引用本文： | 段晓峰.Ge＿xSi＿（1－x）／Si应变层超晶格的LACBED研究[J].电子显微学报,1994(6). |
| 作者姓名： | 段晓峰 |
| 作者单位： | 中国科学院北京电子显微镜实验室 |
| 摘 要： | Ｇｅ＿ｘＳｉ＿（１－ｘ）／Ｓｉ应变层超晶格的ＬＡＣＢＥＤ研究段晓峰（中国科学院北京电子显微镜实验室，北京１０００８０）Ｇｅ＿ｘＳｉ＿（１－ｘ）／Ｓｉ应变层超晶格是一种新的能带工程材料。人们可以通过调整合金层的合金成分等结构参数，来调整应变层超晶格的能... |
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