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电介质膜增强的Goos-H(a)nchen位移的微波测量
引用本文:李春芳,杨晓燕,段弢,张纪岳.电介质膜增强的Goos-H(a)nchen位移的微波测量[J].中国激光,2006,33(6):753-755.
作者姓名:李春芳  杨晓燕  段弢  张纪岳
作者单位:李春芳:中国科学院西安光学精密机械研究所瞬态光学技术国家重点实验室, 陕西 西安 710068上海大学理学院物理系, 上海 200444
杨晓燕:华中科技大学光电子工程系, 湖北 武汉 430074
段弢:中国科学院西安光学精密机械研究所瞬态光学技术国家重点实验室, 陕西 西安 710068
张纪岳:中国科学院西安光学精密机械研究所瞬态光学技术国家重点实验室, 陕西 西安 710068
基金项目:中国科学院资助项目;上海市科委资助项目;上海市青年科技启明星计划;上海市教委资助项目;上海市学科建设项目
摘    要:如果在折射率较高的电介质基底上镀一层折射率较低的电介质薄膜(介质膜的另一侧为折射率更低的介质,如空气),并且恰当选择基底内光束的入射角,使得光束在基底-介质膜界面上折射到薄膜内、在薄膜-空气界面上全反射,那么反射光束的Goos-H(a)nchen(GH)位移在一定条件下会得到共振增强.采用微波技术直接地测量了这种Goos-H(a)nchen位移随电介质膜厚度的变化,测量结果与理论预言吻合得较好.

关 键 词:Goos-H(a)nchen位移  共振增强  电介质膜  微波测量
收稿时间:2005/10/23

Microwave Measurement of Dielectric Film-Enhanced Goos-H(a)nchen Shift
LI Chun-fang,YANG Xiao-yan,DUAN Tao,ZHANG Ji-yue.Microwave Measurement of Dielectric Film-Enhanced Goos-H(a)nchen Shift[J].Chinese Journal of Lasers,2006,33(6):753-755.
Authors:LI Chun-fang  YANG Xiao-yan  DUAN Tao  ZHANG Ji-yue
Abstract:The Goos-Hnchen shift (GH shift) of reflected beam is resonance enhanced under some conditions when the incident beam transmits from the high-refractive index prism to the low-refractive index dielectric thin-film and is totally reflected from the film-air interface. In this paper, the GH shift versus the film thickness is directly measured by microwave technology. The experimental measurements confirm the theoretical prediction.
Keywords:Goos-Hanchen shift  resonance enhancement  dielectric film  microwave measurement
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