| 一种射频MEMS开关高平整度牺牲层的制备方法 |
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| 引用本文： | 高跃升,薛鹏飞,王俊强,吴倩楠,陈鸿,李孟委.一种射频MEMS开关高平整度牺牲层的制备方法[J].中北大学学报,2020,41(5):450-454. |
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| 作者姓名： | 高跃升 薛鹏飞 王俊强 吴倩楠 陈鸿 李孟委 |
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| 作者单位： | 中北大学 仪器与电子学院,山西 太原 030051,山西省计量科学研究院,山西 太原 030032,中北大学 仪器与电子学院,山西 太原 030051;中北大学 前沿交叉科学研究院,山西 太原 030051,中北大学南通智能光机电研究院,江苏 南通 226000;中北大学 前沿交叉科学研究院,山西 太原 030051,中北大学 仪器与电子学院,山西 太原 030051,中北大学 仪器与电子学院,山西 太原 030051;中北大学南通智能光机电研究院,江苏 南通 226000;中北大学 前沿交叉科学研究院,山西 太原 030051 |
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| 摘 要： | 牺牲层工艺是制作MEMS开关的重要工艺,牺牲层平整度差会导致开关上电极变形,进而影响MEMS开关的性能.提出了一种高平整度聚酰亚胺牺牲层的制备方法,采用了自然平流法与双层牺牲层结合的方式.首先研究了温度对聚酰亚胺流动速度的影响,极大地缩短了自然平流法所需要的时间.自然平流法的局限性在于无法彻底解决聚酰亚胺牺牲层平坦度差的问题,之后可采用AZ5214光刻胶作为第二层牺牲层,进一步提高了牺牲层的平整度.固化后的聚酰亚胺性质稳定,不与酸碱反应,为光刻胶作为第二层牺牲层提供了条件.
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| 关 键 词： | MEMS开关 牺牲层 聚酰亚胺 平坦度 |
Method for Preparing High-Level Flatness Sacrificial Layer of Radio Frequency MEMS Switch |
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| GAO Yue-sheng,XUE Peng-fei,WANG Jun-qiang,WU Qian-nan,CHENG Hong,LI Meng-wei.Method for Preparing High-Level Flatness Sacrificial Layer of Radio Frequency MEMS Switch[J].Journal of North University of China,2020,41(5):450-454. |
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| Authors: | GAO Yue-sheng XUE Peng-fei WANG Jun-qiang WU Qian-nan CHENG Hong LI Meng-wei |
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