高纯稀有难熔金属材料在MBE设备中的应用 |
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引用本文: | 张淑芬.高纯稀有难熔金属材料在MBE设备中的应用[J].微纳电子技术,1991(6). |
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作者姓名: | 张淑芬 |
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作者单位: | 西北有色金属研究院 宝鸡 |
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摘 要: | 叙述了高纯稀有难熔金属材料在MBE设备中的应用和MBE设备高纯部件的研制。分子束源炉是MBE设备的“心脏”,它和MBE生长材料的质量紧密相关。选用电子束悬浮区域熔炼最佳工艺,我们制成纯度大于5N的钽、钼和钛并加工成棒、片、带、箔、管、丝和异型材制作分子束源炉。实验证明,这种分子束源炉是高质量的。并且进一步说明,从最大限度地降低外采杂质的污染出发对材料选择作精心的研究是很必要的。
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关 键 词: | 高纯度 难熔金属 分子束外延 设备 |
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