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拟合法测半值层的缺陷与改进
引用本文:罗泽华.拟合法测半值层的缺陷与改进[J].中国测试技术,2003,29(3):22-22,54.
作者姓名:罗泽华
作者单位:河南省濮阳市质量技术监督检验测试中心,457000
摘    要:在电离辐射计量中 ,X辐射源半值层的检测占有很重要的地位。本文针对检测医用诊断X辐射源中的半值层测量方法及数据处理 ,从理论上分析和实验上证实了拟和法的缺陷因素 ;推荐了两种检测方法。该方法的理论将给修改规范半值层的检测方法提供重要依据。

关 键 词:半值层  拟合法  X辐射源

Blemish and improvement on measurement for half value layer with fit method
Abstract:
Keywords:
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