| 新型4H—SiC阳极凹槽D—RESURF肖特基二极管研究 |
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| 引用本文： | 叶毅,张金平,罗小蓉,张波,李肇基,蒋辉.新型4H—SiC阳极凹槽D—RESURF肖特基二极管研究[J].微电子学,2008,38(4). |
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| 作者姓名： | 叶毅 张金平 罗小蓉 张波 李肇基 蒋辉 |
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| 作者单位： | 电子科技大学,电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都,610054 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划) |
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| 摘 要： | 提出了一种新型4H-SiC阳极凹槽D-RESURF肖特基二极管结构.阳极凹槽使器件反偏时横向电场增强,加快漂移区耗尽.同时,利用D-RESURF技术,提高器件击穿电压和正向导通特性;利用二维数值模拟,从耐压的角度,对降场层的厚度、浓度和长度进行优化.结果表明,新结构较之常规单RESURF结构,击穿电压从890 V提高到1672 V,导通电流为80 mA/mm时,压降从4.4 V降低到2.8 V.
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| 关 键 词： | 肖特基二极管 降低表面电场 击穿电压 |
Study on Novel 4H-SiC Anode-Recessed D-RESURF Schottky Barrier Diode |
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| YE Yi,ZHANG Jinping,LUO Xiaorong,ZHANG Bo,LI Zhaoji,JIANG Hui.Study on Novel 4H-SiC Anode-Recessed D-RESURF Schottky Barrier Diode[J].Microelectronics,2008,38(4). |
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| Authors: | YE Yi ZHANG Jinping LUO Xiaorong ZHANG Bo LI Zhaoji JIANG Hui |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | 4H-SiC |
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