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基于激光干涉测量的硅键合工艺分析
引用本文:马斌,陈明祥,张鸿海,刘胜,汪学方.基于激光干涉测量的硅键合工艺分析[J].半导体技术,2005,30(10):26-29.
作者姓名:马斌  陈明祥  张鸿海  刘胜  汪学方
作者单位:华中科技大学机械学院微系统研究中心,武汉,430074;华中科技大学国家激光重点实验室,武汉,430074;华中科技大学机械学院微系统研究中心,武汉,430074;韦恩州立大学机械工程系,美国,密歇根州,48202
基金项目:国家高技术研究发展计划(863计划)
摘    要:利用激光干涉测量法,对键合后的硅片表面翘曲进行了检测,统计了表面质量分布,对键合工艺进行筛选,优化工艺参数,表面质量得到很好的保证.

关 键 词:键合工艺  表面平整度  干涉法  翘曲
文章编号:1003-353X(2005)10-0026-04
收稿时间:2005-03-03
修稿时间:2005年3月3日

Analysis of Silicon Bonding Technics Based on Laser Interferometry
MA Bin,CHEN Ming-xiang,ZHANG Hong-hai,LIU Sheng,WANG Xue-fang.Analysis of Silicon Bonding Technics Based on Laser Interferometry[J].Semiconductor Technology,2005,30(10):26-29.
Authors:MA Bin  CHEN Ming-xiang  ZHANG Hong-hai  LIU Sheng  WANG Xue-fang
Abstract:The warpage of bonded silicon surface was measured with laser interferometry. The surface quality distribution statistics was made. The bonding techniques were compared, and the proceeding parameters were optimized, so the surface properties were ensured.
Keywords:bonding techniques  surface flatness  interferometry  warpage
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